Samsung comienza el desarrollo de la tecnología de proceso de 1 nm, la producción en masa dirigida después de 2029

Según los informes, Samsung Electronics ha comenzado a desarrollar su proceso de fundición de semiconductores de 1 nanómetro (NM, una mil millones de medidores).Enfrentando una brecha de rendimiento actual con TSMC en nodos avanzados como el proceso de 2NM producido por la masa, Samsung tiene como objetivo acelerar su impulso a la clase de 1NM con la esperanza de girar las tablas.

Según fuentes de la industria el 9 de abril, el Instituto de Investigación de Semiconductores de Samsung lanzó recientemente un proyecto de desarrollo centrado en el proceso de 1NM.Los investigadores seleccionados que han participado en procesos de vanguardia como 2NM han sido reasignados para formar el núcleo del nuevo equipo del proyecto.Actualmente, el proceso más avanzado en la hoja de ruta de fundición pública de Samsung es el nodo de 1.4 nm, que está programado para la producción en masa en 2027.

Lograr la fabricación de 1 nm requerirá un paradigma de diseño completamente nuevo, junto con herramientas de próxima generación, como el equipo de litografía ultravioleta extrema (High-NA EUV) de alta apertura numérica.Los informes sugieren que Samsung apunta a una línea de tiempo posterior a 2029 para la producción en masa de esta tecnología.

Samsung actualmente se queda atrás de TSMC en la tecnología de procesos de 3NM, que ya está en producción, y en el nodo de 2NM se espera que ingrese a la producción este año.En particular, según los informes, TSMC ha logrado una tasa de rendimiento de más del 60% para su proceso de 2 NM, sustancialmente por delante de Samsung, que presenta al gigante tecnológico coreano para comenzar el desarrollo del proceso de 1NM antes de lo planeado inicialmente.

Al mismo tiempo, los competidores de Samsung también están avanzando con tecnologías de clase de 1 nm.TSMC, por ejemplo, anunció en abril de 2023 que comenzaría a la producción de su proceso de 1.6 Nm (16A), posicionado entre los nodos de 1.4Nm y 2Nm, en la segunda mitad de 2026. Este movimiento se ve como una respuesta a las demandas que evolucionan rápidamente del mercado de semiconductores AI y como una piedra hacia el futuro procesos de generación futura.